电流脉冲碳化硅
SiC FET的脉冲电流能力量化 电子创新元件网
2023年11月30日 SiC FET的脉冲电流能力量化. judy -- 周四, 11/30/2023 09:58. 作者：Qorvo功率器件高级工程经理Pete Losee. 宽带隙（WBG）器件，尤其是SiC FET、碳 2020年3月16日 摘要: 碳化硅 (silicon carbide,SiC) 器件作为一种宽禁带半导 体器件,具有耐高压、高温,导通电阻低等优点。 近 20 年 来, SiC 器件是国内外学术界和企业界的一大 碳化硅功率器件技术综述与展望 CSEE2022年10月25日 摘要. 由于碳化硅（SiC）MOSFET具有高频、低损耗、高耐温特性，在提升新能源汽车逆变器效率和功率密度方面具有巨大优势。. 对于SiC MOSFET功率模块，研究大电流下的短路保护问题、高开关速度 大电流下SiC MOSFET功率模块的驱动器研究 知乎
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碳化硅功率模块及电控的设计、测试与系统评估 ROHM
2021年1月7日 在臻驱看来，碳化硅技术应用于主驱电控的主要系统优势，是在于效率的提升，以及峰值输出功率的增加。 者可以提升续航里程或减少电池安装数量，后者可以给整车带来更大的百公里加速度。 臻驱第 2020年1月15日 碳化硅（SiC）MOSFET性能的优势与技术的难点. 引言：碳化硅功率器件近年来越来越广泛应用于工业领域，受到大家的喜爱，不断地推陈出新，大量的更高电压等级、更大电流等级的产品相继推出， 碳化硅（SiC）MOSFET性能的优势与技术的难点 知乎2022年1月26日 东芝电子元件及存储装置株式会社 中国上海——东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，推出两款全新碳化硅（SiC）MOSFET双模块---“ 东芝推出全新1200V和1700V碳化硅MOSFET模块，助力实现
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双极型碳化硅固态高压器件技术研究进展 caep
2019年4月18日 双极型 SiC 固态高压器件是全固态脉冲高压微系统中的核心器件，在整流器方面，选择能够提供小的漏电流、高的击穿电压及较小的开态电阻的 SiC PIN 高压二极管实现；而在高压开关方面，综合系统对于 2023年8月7日 为了使大电流脉冲的上升沿陡化，可在后级加入阶跃恢复二极管(SRD)。2.触发脉冲的获得 本文所选用的触发脉冲由振荡电路和脉冲整形电路组成，具体电路如图3所示。由555定时器构成的振荡电路产生频率可调的脉冲序列V1，经74LS123整形后得到触发脉 基于雪崩晶体管的纳秒脉冲驱动电路设计 知乎2023年10月26日 对于高压开关电源应用，碳化硅或 SiC MOSFET 与传统硅 MOSFET 和 IGBT 相比具有显著优势。 因此，在漏极-源极电压可以响应之，漏极电流可能达到最大额定脉冲电流的 10-20 倍（在高 RDS 期间）。SiC MOSFET 器件特性知识详解； 知乎
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SiCer小课堂｜TO-247封装碳化硅MOSFET引入辅助源极管脚
2022年8月29日 新的TO-247-4封装的碳化硅MOSFET模型如图2所示，我们发现这种封装的管脚数及其管脚定义发生了很大的变化。. 相对于TO-247-3，这种封装多了一个S极管脚，我们将它称为辅助源极或者开尔文管脚KS (Kelvin Source)。. 同时，这种封装形式将驱动回路和主功率回路解耦开2022年5月8日 在热失效产生之，短路电流会由负斜率转变成正斜率，在器件关断之后漏极产生一个拖尾电流（见图6）。 这两种效应被认为与温度相关，因为随着脉冲长度增加和温度升高，空穴数量增加形成的泄漏电流从体区流出，从而出现拖尾电流。SiC功率MOSFET可靠性研究进展 知乎2020年3月16日 能力普遍达到额定电流的10 倍以上。而Infineon 通过元胞优化，其浪涌电流密度达到了5600A/cm2 的水平，为额定电流的18 倍。Cree 和Infineon 公 司的1.2kV 二极管产品的抗浪涌电流能力的数据如 图2 所示。 近几年来，国内SiC 二极管产业也日益成熟，碳化硅功率器件技术综述与展望 CSEE
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宽禁带碳化硅(SiC)单晶衬底及器件研究进展 知乎
2020年1月14日 宽禁带碳化硅 (SiC)单晶衬底及器件研究进展. 梁上尘. 梁上尘土. 固体材料按照其导电特性可以分为导体、半导体和绝缘体三大类，既可以通过电子的填充能带理解，也可以通过材料的电阻率特性来区分。. 从第一代的硅、锗材料发展到第二代的砷化镓和磷化铟等2022年5月27日 因此，大电流测试的内阻会增加（大电流下结温会显著增加），小电流或脉冲电流测试，内阻会降低（因为结温没有显著增加，没有热积累）。 有些管道称为典型内阻，几乎与您自己的小电流测试相同，而有些管道本身的小电流测试远低于典型内阻（因为其测试标准是大电流）。关于MOSFET、MOS管雪崩，下面描述是否正确？ 知乎2021年1月7日 后者通常的实现方法是一种称为“双脉冲测试”的方法，它需要对于被测器件施加不同的电压、电流、器件温度，甚至不同的门极驱动电阻，以进行全面测试评估。. 一个完整的测试DoE表格（Design of Experiment）可包含数千个工作点。. 考虑到接着还需要进行大 碳化硅功率模块及电控的设计、测试与系统评估 ROHM
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碳化硅器件动态特性测试技术剖析 泰克 TechSugar 做你
2023年1月27日 综上所述，碳化硅器件的动态特性应该包含开关特性、串扰特性和反向恢复特性三个部分。. 串扰和反向恢复是与开关过程伴生的，这也就意味着，碳化硅动态特性的三个部分可以采用统一的测试方法，即双脉冲测试。. 双脉冲测试采用的是电感负载半桥电路2023年3月8日 摘要： SiC MOSFET体二极管的关断特性与IGBT电路中硅基PN二极管不同，这是因为SiC MOSFET体二极管具有独特的特性。. 对于1200V SiC MOSFET来说，输出电容的影响较大，而PN二极管的双极电 探究快速开关应用中SiC MOSFET体二极管的关断特性2022年3月10日 在不同电流密度下的分阶段电沉积实验展示了动态的硅通孔 (TSV) 填充过程。. 通过控制外加电流密度，可以获得对应于TSV填充结果的不同形貌。. 具体来说，低电流密度 (4 mA/cm 2 ) 会导致接缝缺陷填充，中等电流密度 (7 mA/cm 2 ) 会导致无缺陷填充，而高电流密度 (10铜电化学沉积的动态硅通孔填充工艺 哔哩哔哩
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SiC碳化硅二极管抗浪涌电流能力缺点及应对方式 CSDN博客
2020年7月30日 SiC碳化硅二极管浪涌电流能力的问题，可以通过外围电路来适当改善，在PFC电路中，当SiC-SBD浪涌电流值不够的时候，需要为这个二极管（和电源侧的电感一起）并联硅二极管，降低浪涌电流，对SiC二极管进行保护，虽然略微增加了器件成本，但是提 2022年4月28日 我们先来看看碳化硅mosfet概述：在SiC MOSFET的开发与应用方面，与相同功率等级的Si MOSFET相比，SiC MOSFET导通电阻、开关损耗大幅降低，适用于更高的工作频率，另由于其高温工作特性，大大提高了高温稳定性。. 碳化硅mosfet驱动与硅IGBT的区别. 硅IGBT与碳化硅MOSFET多个维度来分析碳化硅SIC跟IGBT应用上的区别！ 知乎2022年1月7日 辊道窑上的反应烧结碳化硅陶瓷辊. 工艺简介：. 采用一定颗粒级配的碳化硅（一般为1~10μm）与碳混和后成形素坯，然后在高温下进行渗硅反应，部分硅与碳反应生成SiC与原来坯体中的SiC结合，达到烧结目的。. 渗硅的方法有2种，一种是温度达到硅的熔融 碳化硅陶瓷，SSiC\SiSiC\RBSiC\RSiC...你分得清吗？ 知乎
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SiC FET的脉冲电流能力量化 电子创新元件网
2023年11月30日 SiC FET的脉冲电流能力量化. judy -- 周四, 11/30/2023 09:58. 作者：Qorvo功率器件高级工程经理Pete Losee. 宽带隙（WBG）器件，尤其是SiC FET、碳化硅JFET的级联和共封装硅MOSFET，正在引领降低半导体开关功率损耗的竞赛。. 这种安排产生了一个常关器件，带有一个简单的2022年3月30日 高效测量碳化硅(SiC)电源系统中的信号 应用指南 图6. 在两只地电平参考探头连接到不同参考电压时，器件电流会旁路CVR，流经地线和示波器。这会导致测量错误，并可 能会导致设备损坏。电流测量 图7.探头实例：(a)电流查看电阻器(TM Research高效测量碳化硅(SiC) 电源系统中的信号 Tek2019年12月8日 光触发大功率半导体开关研究进展. 文章来源： 《强激光与粒子束》编辑部 时间：2019-12-08. 共1页 1. 由于在基础科学研究和工业领域的应用拓展(包括加速器电源、激光器电源、纳米材料制作、细胞改性等) 光触发大功率半导体开关研究进展 caep
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SiC 电力电子学产业化技术的创新发展 知乎
2022年5月17日 分析所用的实验平台由脉冲形成网络 ( PFN) 组成，被测器件为15 kV SiC n 型掺杂外延层 GTO，电流水平高达1. 0 kA，脉冲宽度为 120 μs。 测试了器件的静态电特性，如正向电流－电压曲线、栅正向电导、正向延迟等，使用扫描电子显微镜 ( SEM) 成像以发现器件退化的实证。2022年12月28日 图20.45mΩ和20A（标称直流额定电流）的SiC MOSFET的典型短路波形 另一个重要发现是，在短路条件下，芯片内的温度大幅度升高，显示出与IGBT不同的分布。温度升高也是因为峰值电流（与器件额定电流的比率）相比受益于饱和效应的IGBT大幅增大。碳化硅压箱底系列4：CoolSiC™ MOSFET的抗短路能力 知乎2023年1月10日 碳化硅 功率器件作为新一代功率半导体器件，以其优异的特性获得了广泛的应用，同时也对其动态特性测试带来了挑战 第一脉宽τ1的上限制约条件是母线电压跌落小，器件自发热少。脉冲间隔τ2的上限制约条件是电流跌落在要求范围内。第二碳化硅器件动态特性测试技术剖析 21ic电子网
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碳化硅压箱底系列2： SiC MOSFET在恒定栅极偏压条件下
2022年12月28日 人人有份，赶紧关注哦！. 关于新一代半导体材料碳化硅的介绍. 之英飞凌有发布年底压箱底系列1： 工业级SiC MOSFET的栅极氧化层可靠性——失效率和寿命，今是我们的压箱底系列2，和大家聊聊SiC MOSFET在恒定栅极偏压条件下的参数变化。. 工业级SiC MOSFET的2022年6月10日 碳化硅模块提高电机驱动器的功率密度. 牵引驱动器是电动汽车（EV）几乎所有能量的消耗源。. 因此，驱动系统必须尽可能提高效率，同时以最低重量占用最小空间 — 这些均旨在尽可能提高电动汽车的续航能力。. 随着行业利用双驱动装置提高牵引力，同时借 碳化硅模块提高电机驱动器的功率密度 Arrow2017年10月23日 碳化硅这几年发展迅速，SiC最近太热，什么 碳化硅mosfet等器件太火了，它的出现是个偶然还是，为什么这个 每个工程师都想要一个完美的开关，以便能在开和关两种状态之间瞬间切换，且在两种状态下都实现尽可能低的损耗。为什么会出现碳化硅（传统电子器件缺点？）？ 知乎
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