碳化硅陈建平
陈小龙：国产化碳化硅晶片的开路人----2022中国科学院年度
陈小龙因在碳化硅研究方面取得的突出成就而获得中国科学院科技促进发展奖和中国发明协会发明创业特等奖。陈小龙将带领团队继续专注于提高碳化硅晶体的质量，降低成本，实 2022年2月19日 本文来自 方正证券 研究所2022年2月15日发布的报告《碳化硅（SiC）行业研究框架--“新能半导”大时代新核“芯”》，欲了解具体内容，请阅读报告原文，陈 碳化硅SiC：研究框架（百页重磅） 本文来自 方正证券 研究2022年4月27日 8英寸SiC导电单晶的研制成功是物理所在宽禁带半导体领域取得的重要进展，研发成果转化后，将有助于增强我国在SiC单晶衬底的国际竞争力，促进我国宽禁带半 8英寸碳化硅单晶研究获进展----中国科学院
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碳化硅，第三代半导体时代的中国机会-新华网
2021年7月21日 碳化硅，第三代半导体时代的中国机会. 5G通信、电动汽车等新兴产业对碳化硅材料将产生巨大需求，大力发展碳化硅产业，可引领带动原材料与设备两个千亿级 2019年3月22日 （图片来源：中国科学院物理研究所） 中国科学院物理研究所陈小龙研究员带领他的团队，长期聚焦于碳化硅晶体生长，走出了一条从基础研究到产业化的自主创 陈小龙：碳化硅晶圆国产化先锋 国际科技创新中心碳化硅（又名：碳硅石、金钢砂或耐火砂），化学简式：SiC，是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑为原料通过电阻炉高温冶炼而成的一种耐火材料。碳化硅在大自然也存在于罕 碳化硅 知乎
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陈小龙：做国产碳化硅晶片产业探路者 科学网
2019年4月11日 陈小龙：做国产碳化硅晶片产业探路者. 从2英寸、3英寸、4英寸到如今的6英寸碳化硅晶片，中国科学院物理研究所科研团队精心打磨了20多年，终于2023年11月28日 卢雪明*,唐小兵,幸志刚,欧阳家淦,陈建平 卢雪明*,唐小兵,幸志刚,欧阳家淦, 陈烁如 6 2021-12-10 经营范围 货物进出口(专营专控商品除外);技术进出口;电子、通信与自动控制技术研究、开发;通信系统设备制造;通信终端设备制造;电子工业专用设备制造广州三晶电气股份有限公司 爱企查2023年5月4日 碳化硅，是一种无机物，化学式为SiC，是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生产绿色碳化硅时需要加食盐）等原料通过电阻炉高温冶炼而成。碳化硅在大自然也存在罕见的矿物，莫桑石。在C、N、B等 碳化硅_百度百科
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中瓷电子38亿收购进军第三代半导体 溢价近3倍交易业绩
2022年9月2日 中瓷电子38亿收购进军第三代半导体 溢价近3倍交易业绩承诺不增反降. 上市一年半后，中瓷电子（003031.SZ）的重磅运作来了。. 据中瓷电子披露的2022年4月27日 8英寸SiC晶体生长的难点在于：首先要研制出8英寸籽晶；其次要解决大尺寸带来的温场不均匀、气相原料分布和输运效率问题；另外，还要解决应力加大导致晶体开裂问题。. 在已有的研究基础上，2017年，陈小龙、博士生杨乃吉、副研究员李辉、主任工程师 8英寸碳化硅单晶研究获进展----中国科学院2021年6月28日 或许是为了把故事讲得更加圆满，露笑科技在2020年年报中，拉来了从事碳化硅研究的陈之战博士。据露笑科技的说法，曾任世纪金光技术总监的陈博士，开发了国内第一条4英寸碳化硅衬底片生产线。但因为6英寸及以后需要更多产业化支持，所以选择了露笑。露笑科技，真的把人整笑了 知乎
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碳化硅是什么材料？ 知乎
2023年3月21日 碳化硅是一种化合物，由碳和硅元素组成，化学式为SiC 。它是一种耐高温、硬度高、抗腐蚀、耐磨损的陶瓷材料，也被广泛应用于电子器件和光学器件中。作为陶瓷材料 高硬度：碳化硅具有很高的硬度，约为金刚石的80%，能够很好地抵抗磨损和2023年8月23日 一、碳化硅简介与特性 碳化硅（SiC）是一种由碳和硅元素稳定结合而成的晶体材料。其独特的结构特性使其具有诸多优异的物理和化学性质，如高温稳定性、高硬度、耐腐蚀性等。这些特性使得碳化硅在许多领域具有重要的应用价值，尤其是在能源、电子、半导体、陶瓷和涂层等领域。碳化硅材料：特性、应用与未来景探析 知乎2018年8月28日 我与物理所 陈小龙. 我是1988年来物理所读研究生，至今在物理所学习、工作已经整整30年。. 在学习期间，我从我的导师梁敬魁院士等老一辈科学家、老党员们身上看到了真正的爱国情怀、工作热情，忘我精神，这种精神给了我很大的感染和教育。. 在他们 我与物理所 陈小龙 中国科学院物理研究所
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碳化硅的制备及应用最新研究进展 汉斯出版社
碳化硅具有强度大、硬度高、弹性模量大、耐磨性好、导热性强和耐腐蚀性好等优异性能，被广泛地应用于磨料磨具、陶瓷、冶金、半导体、耐火材料等领域。常用的制备碳化硅粉体方法有碳热还原法、机械粉碎法、溶胶–凝胶法、化学气相沉积法和等离子体气相合成法等等。2021年10月29日 10月29日，中国共产党竹山县第十五届委员会第一次全体会议召开。陈建平当选为县委书记，王丽媛、王宇星当选为县委副书记。陈建平、王丽媛、王宇星、何垚辰、刘专、明昌艳、范奇、张涛、杨明章、任卓、熊应标当选为常务委员会委员。中国共产党竹山县第十五届委员会第一次全体会议召开，陈2021年8月2日 陈秘书长表示，滨河是宁夏地区最早实现产业链延伸发展的企业，现在更是形成了循环经济新模式，未来发展可期。. 双方还就碳化硅单晶材料的制备研发等问题交换了意见。. 随后，陈秘书长一行抵达本次调研的最后一站—平罗荣昌碳化硅有限公司，与公司总【磨协】陈鹏秘书长一行调研内蒙、宁夏碳化硅企业_发展
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陈启：2020之半导体行业投资逻辑梳理 【以下为访谈文字实录
2020年3月5日 陈启：目核心的半导体产业公司，包括设计公司、制造公司、封装测试公司、设备公司、半导体材料公司、半导体辅助制造等我统计大约在110家左右，其中主营业务50%来自半导体行业的大约有70余家。. 光伏、LED等泛半导体行业未统计进去，还有不少公 2023年1月2日 单晶生长环境要求高：单晶生长对温度和压力的要求苛刻，一般而言，碳化硅气相生长温度在 2000℃ ~2500℃之间，而传统硅材仅需 1600℃左右，碳化硅单晶对设备和工艺控制带来了极高的要求，温度和压力控制稍有失误，就会导致产品生长失败；. 晶型要 碳化硅 SiC 知乎2021年12月9日 陈小龙：回顾整个产业化走过的15年路程，首先企业能够成长起来，必须感谢国家各个部门的大力支持，因为在早期，碳化硅下游产业没有牵引，主要是受到包括国家自然科学基金委、科技部、北京市、新疆生产建设兵团等等的资金方面的大力支持，应该说国家对【闳议】“双碳”目标下碳化硅产业处爆发开始阶段 大尺寸化成
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中国科学院光电技术研究所 IOE
光电所携量子通信地面望远镜、紫外光刻机、碳化硅轻量化反射镜、超精密光学元件及微光学元器件等十余项科技成果以及下属企业相关产品如期与观众见面。. 同期，2021年“中国光电博览奖”揭晓，光电所“紫外光刻机”项目荣获本届“中国光电博览奖”银奖2014年12月15日 新型半导体材料碳化硅-毕业论文. 关键词:SiC 第三代半导体. 引言. SiC作为第三代半导体材料，它的禁带宽度高达3.25eV,不仅击穿电场强度高，而且电子饱和速率和热导率都很高，这些优越性质使SiC器件能在高温、高电压、高频率状态下可靠运行，同时在 新型半导体材料碳化硅-毕业论文_百度文库2023年3月7日 碳化硅半导体器件生产工序主要包括碳化硅高纯粉料、单晶衬底、外延片、功率器件、 模块封装和终端应用等环节。碳化硅高纯粉料是采用 PVT 法生长碳化硅单晶的原料，其 产品纯度直接影响碳化硅单晶 碳化硅行业研究：同质外延SiC需求广阔，掘金百亿高
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国内外碳化硅功率半导体产业链发展现状 知乎
2019年9月3日 小结. 目，全球碳化硅产业格局呈现美、欧、日三足鼎立格局，其中美国一家独大 (全球70-80%的碳化硅半导体产量来自美国公司)；欧洲在碳化硅衬底、外延、器件以及应用方面拥有完整的产业链；日本是设备和模块开发方面的绝对领先者。. 近两年随着国家 2023年2月8日 陈小龙：整个碳化硅宽禁带半导体，和国际上最先进的水平还是有些差距的，在晶圆方面应该有2-3年的差距，外延方面，研究本身差距不大，但是产业化方面会有一些差距，良率不如人家高。【闳议】陈小龙：“双碳”目标下碳化硅产业处爆发开始阶段大2021年12月24日 第三代半导体，以碳化硅为代表，其具有 禁带宽度 大，击穿电场高， 饱和电子 漂移速度高，导热率大等特点，特别是在1200V的高压环境中，有着明显的优势。. SIC晶体具有与GaN材料高匹配的 晶格常数 和热膨胀系数以及优良的热导率，是 GaN基 的理 我想了解一下碳化硅的生产工艺？ 知乎
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硅酸盐研究所探索碳化硅陶瓷制备新方法 知乎
2022年6月30日 2022年，中国科学院上海硅酸盐研究所陈健副研究员首次提出高温熔融沉积结合反应烧结制备SiC陶瓷新方法。. 成功制备出力学性能接近于传统方法制备反应烧结的SiC陶瓷。. 相关研究成果发表在《Additive Manufacturing》，并申请中国发明专利2项。. 碳化硅 (SiC)陶瓷碳化硅（又名：碳硅石、金钢砂或耐火砂），化学简式：SiC，是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑为原料通过电阻炉高温冶炼而成的一种耐火材料。碳化硅在大自然也存在于罕见的矿物，莫桑石中。在当代C、N、B等非氧化物高技术耐火原料中，碳化硅为应用最广泛、最经济 碳化硅 知乎
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